Электроника и радиотехника: Разработать программу для моделирования в диалоговом режиме профилей распределения имплантированных в арсенид галлия ионов

Разработать программу для моделирования в диалоговом режиме профилей распределения имплантированных в арсенид галлия ионов с использованием распределения Пирсон IV. Выполнить тестовый расчет для Zn, Cd, Se, E = 90 КэВ, D = 1*10 в 15 ион/см2. 1. Бубенников А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. - М., Высшая школа. 1989, 320 с. 2. Борисенко В. Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. - Мн., Наука и техника. 1991 СОДЕРЖАНИЕ Введение 3 1 Теоретическая часть 4 2 Разработка программы моделирования 9 Заключение 14 Литература 15 ВВЕДЕНИЕ Целью данной курсовой работы является разработка программы для моделирования в диалоговом режиме профилей распределения имплантированных в арсенид галлия ионов с использованием распределения Пирсон IV. Тестовый расчёт выполняется для Zn, Cd, Se при E = 90 КэВ. Развитие микро- и нано-электроники часто ставит перед разработчиками вопрос о создании тонких полупроводниковых слоев с заданным профилем распределения примеси по глубине легированного слоя. Для повышения эффективности исследований в данной области применяется компьютерное моделирование. В связи с этим тема разработки прикладного программного обеспечения для моделирования профилей распределения является актуальной. Для достижения поставленной цели в курсовой работе решаются следующие задачи: ? Изучаются теоретические вопросы, связанные процессами ионного легирования, ? Разрабатывается компьютерная программа, позволяющая в диалоговом режиме выполнять моделирование, ? Выполняется анализ результатов работы программы.